多孔氮化硅高温氧化特性分析
采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1400℃.结果表明:多孔氮化硅在latm空气静态气氛下,800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1000℃以上氧化反应加剧,增重速度加快,并优先发生在表面与外表孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被动氧化为主,主方程式为(2),属吸热反应.当生成的氧化硅将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随着温度的进一步升高或时间的延长,会出现方程式(4)所示的反应,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况.此外,同等温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品.
飞行器天线窗 多孔氮化硅陶瓷 高温氧化特性 结构表征
何凤梅 陈聪慧 杨景兴 黄娜 王晓叶 李琦
航天材料及工艺研究所,先进功能复合材料技术重点实验室,北京,100076
国内会议
北京
中文
997-1003
2013-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）