一种具有单一导电模式的RC-IGBT

摘要：

逆导型绝缘栅晶体管在正向导通时存在由单电子导电模式向双极性导电模式转换的过程,从而带来电流电压输出曲线上的负阻(snapback)现象,继而导致一系列的可靠性问题.本文提出一种具有单一导电模式的新结构逆导型绝缘栅晶体管,它可以有效地消除这种snapback现象.且经仿真验证,这种新结构还具有导通压降低,电流分布均匀等优势,另外这种新结构逆导型绝缘栅晶体管相比其它文献提出的逆导型绝缘栅晶体管工艺更简单,设计难度更低.

关键词： 逆导型绝缘栅晶体管 单一导电模式 理论模型 负阻现象

作者: 陈伟中 张波 李泽宏 刘永 李肇基

作者单位: 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-10

在线出版日期: 2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）