衬偏效应对1T1R结构中forming成功率的影响

摘要：

编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的影响.在forming过程中,晶体管和阻变存储器都具有一定的电压降,因此晶体管源漏两端端电压被抬高,晶体管产生衬偏效应,阈值电压增大.当晶体管的阈值电压大于所加栅压时,晶体管被截止,流经阻变存储器的电流被限制,无法被编程至低阻态.实验发现,将forming电压控制在较小范围内可以有效保证1T1R的编程成功率.本文对forming失效机理的研究将有助于提高1TlR的阵列产率.

关键词： 阻变存储器 晶体管 衬偏效应 成功率

作者: 许晓欣 吕杭炳 刘红涛 王伟 王明 李玉香 刘明

作者单位: 中科院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术研究室,北京100029;山东大学,物理学院,250100 中科院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术研究室,北京100029 山东大学,物理学院,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 132-136

在线出版日期: 2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）