一种用于InP基HBT器件的SDD模型

摘要：

本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效应.该模型的直流模型是基于VBIC模型的,电荷模型是基于Agilent模型的.模型内嵌入ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地模拟了InP HBT的器件特性.

关键词： 磷化铟基异质结双极晶体管 大信号模型 符号定义器件 非理想效应

作者: 张金灿 张玉明 吕红亮 张义门 刘敏

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 149-155

在线出版日期: 2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）