基于体硅外延工艺的600V浮栅驱动芯片

摘要：

本文基于600V体硅外延BCD工艺,完成了一款浮栅驱动芯片的设计.为了增强隔离结构的可靠性,本文提出了一种新型的P型阱、N型阱交替排列的隔离结构,该隔离结构耐压为740V,相对于传统结构增加了7％,当LDMOS漏端电位大于1V,且漏端与高侧电压差为15V时的漏电远小于lμA,满足芯片应用要求.此外,为了增强浮栅驱动电路的抗噪性能,提出了一种新型的抗dV/dt噪声电路,相比于使用滤波宽度为70ns滤波电路的传统栅驱动芯片,抗dV/dt噪声能力从约30V/ns提升至70V/ns以上.

关键词： 浮栅驱动芯片 体硅外延工艺 隔离结构 抗噪性能

作者: 陈健 祝靖 张允武 孙伟锋 顾力晖 张森

作者单位: 东南大学,电子科学与工程学院,南京,210096;无锡芯朋微电子股份有限公司,无锡,214000 东南大学,电子科学与工程学院,南京,210096 无锡华润上华半导体有限公司,无锡,214000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 156-162

在线出版日期: 2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）