有机薄膜晶体管接触电阻模型
(0) 有机薄膜晶体管在未来柔性、低成本、大面积电子器件方面有很好的应用前景.但是,实验中发现,有机薄膜晶体管源漏电极与沟道之间存在着较大接触电阻,是影响有机薄膜晶体管性能的主要因素之一.本文运用传输线模型,来研究底栅顶接触和底栅底接触两种结构的有机薄膜晶体管的接触电阻.根据这一模型,对比了底栅顶接触和底栅底接触结构接触电阻的大小,与实验事实相符合,解释了顶接触结构的接触电阻相对较小的原因.对于底栅底接触结构的传输线模型,将其与实验数据进行了对比,发现它可以很好的拟合实验数据,证实了模型的正确性.随后,研究了栅压和源漏电极的厚度、宽度及接触角度对底接触结构接触电阻的影响.这些结果可以用来优化有机薄膜晶体管的结构,从而获得更低接触电阻、更高性能的有机薄膜晶体管.
有机薄膜晶体管 接触电阻 传输线模型 性能评价
王伟 李泠 姬濯宇 卢年瑞 王龙 徐光伟 刘明
中国科学院,微电子研究所,北京100029
国内会议
成都
中文
250-256
2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）