Ba源配比对MOCVD法制备YBCO薄膜性能的影响研究
(0) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法制备氧化物薄膜具有沉积速率快,外延薄膜均匀性好等优点.本文采用单一液相混合源进液及闪蒸的MOCVD系统在LaAl03(001)单晶基片上制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜,研究混合源中Ba含量对YBCO超导薄膜成分、结构及电流承载能力的影响.结果表明,当Ba含量较小时,YBCO薄膜中易于形成尺寸较小的CuO颗粒;随着Ba含量的增加,薄膜中形成Ba2CuO3晶粒,并且Ba2CuO3晶粒尺寸随Ba含量的增加而逐渐增大.杂质相的含量、尺寸以及与YBCO的晶格匹配程度对YBCO薄膜的双轴取向生长和电流承载能力具有重要影响.当原料摩尔配比Ba/Y=3.9时,成功制备出了具有优异面内面外取向、结构致密的YBCO超导薄膜,77K下的300nm厚度薄膜的临界电流密度达到4.0MA/cm2,该研究结果对于第二代超导带材的发展具有重要意义.
氧化物薄膜 化学气相沉积法 钡源含量 性能评价
赵睿鹏 熊杰 刘鑫 张飞 赵晓辉 陶伯万
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都610054
国内会议
成都
中文
273-277
2013-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）