CsI-AIN复合纳米材料的制备及场致发射性能研究
本文采用AIN纳米锥作为骨架，在其表面修饰具有低功函的CsI，进一步降低了AIN纳米锥的功函(-3.7 eV)，从而增强了其场致发射性能。先制备了AIN纳米锥准定向阵列，然后通过真空蒸镀在其表面修饰了低功函的CsI纳米粒子，得到系列CsI-A1N复合纳米材料。测试结果表明修饰CsI纳米粒子的AlN纳米锥的场发射性能得到了显著的提高，其中CsI纳米粒子的尺寸和密度对场发射性能有重要的影响。该结果表明用低功函材料修饰是一种能有效提高A1N基场发射材料的途径。
复合纳米锥 制备工艺 致发射性能 表面修饰
钱维金 张永亮 吴强 王喜章 胡征
介观化学教育部重点实验室,南京大学化学化工学院,南京210093
国内会议
合肥
中文
112-112
2013-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）