通过包裹优化AlN纳米锥的场致发射性能
本文通过简单的两步化学气相沉积法合成了AINBCN, A1N/C和A1N/CNx核壳纳米复合材料。先在7000℃时通过AlCl3和NH3的化学反应在Si基片上沉积AIN纳米锥阵列，再分别以B-B203-C混合物、苯或吡啶作为原料，在高温下进行第二次化学气相沉积过程，分别制得了AIN/BCN,A1N/C和AlN/CNx核壳纳米复合材料。电镜观察结果表明纳米锥的形貌基本保持不变，而表面覆盖了一层厚度约2-5nm的包裹层;用XPS和Raman谱确定了表面包裹层的组成;研究显示:上述核壳结构材料的场致发射性能均得到了明显提高，其开启电场和阈值电场的变化次序如下:AIN>AIN/C>AIN/CNX>AINBCN(图1)，核壳结构材料性能的提高可归因于其导电性的增强及表面功函数的降低。同时发现，包裹层的厚度对其场发射性能有一定的影响，合适的包裹厚度有助于场发射性能的提高，而较厚的包裹层不利于其性能的提高，这可能是因为厚的包裹层会减小核和壳层材料的协同效应。
纳米锥 场致发射性能 表面包裹层 参数优化
钱维金 张永亮 吴强 王喜章 胡征
介观化学教育部重点实验室,南京大学化学化工学院,南京210093
国内会议
合肥
中文
113-114
2013-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）