ITO高阻薄膜的制备及光电特性研究

摘要：

采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备ITO薄膜,研究了溅射功率、溅射时间、溅射气压等工艺条件对ITO薄膜的方阻和透过率的影响.并在溅射功率45W,溅射时间3min,溅射气压3Pa的工艺条件下得到了我们所需要的高阻薄膜,其方阻为2.873MΩ/sq,对550hm可见光的透过率为96.466％.

关键词： 铟锡氧化物薄膜 制备工艺 光电特性 参数优化

作者: 李东平 李青

作者单位: 东南大学电子科学与工程学院,江苏南京210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届华东三省一市真空学术交流会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 184-189

在线出版日期: 2013-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）