喷雾热解法制备CuInS2薄膜

摘要：

本文采用超声喷雾热解法在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和金相显微镜(MM)表征了样品的结构和形貌.研究了基板沉积温度、Cu/In原子比等因素对薄膜质量的影响.结果表明,在基板温度440℃,原子比为1.2时制备出高质量的CuInS2薄膜.用分光光度计测试了其光学性能,计算得到常温下禁带宽度为1.45eV,接近太阳电池的理想禁带宽度1.5eV,适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.

关键词： 三元化合物半导体薄膜材料 制备工艺 喷雾热解法 性能指标 测试方法

作者: 彭香艺 刘伟 吴琼 蔡瑜琨 莫晓亮 陈国荣

作者单位: 复旦大学材料科学系 上海200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届华东三省一市真空学术交流会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 296-302

在线出版日期: 2013-10-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）