用磁过滤弧生长的ｔａ－Ｃ膜

摘要：

用磁过滤弧法在单硅、熔凝石英以及硼硅玻璃衬底上生长了ｔａ－Ｃ膜。用椭偏仪、ＸＰＳ谱技术、以及Ｒａｍａｎ光谱技术对不同靶偏压条件下生长的ｔａ－Ｃ膜膜进行了研究。对于硅单晶衬底上生长的ｔａ－Ｃ膜，靶偏压在－１００伏附近有最接近金刚石的折射率值。在－８０伏的靶偏压下生成的ｔａ－Ｃ膜的ＳＰ〈’３〉键的含量为７８．８℅。

关键词： ｔａ－Ｃ膜 磁过滤弧 ＳＰ〈’３〉键

作者: 田人和 王广甫 吴瑜光

作者单位: 师范大学低能核物理研究所,射线束与材料工程开放实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 431～433

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）