图形化蓝宝石基底的ICP刻蚀工艺研究

摘要：

本文对一种利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制作4英寸图形化蓝宝石基底的方法进行了研究.制作过程中,选用了C轴(0001)取向的4英寸蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底.借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析.测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为3.45±0.25um,刻蚀高度/深度为1.75±0.25um,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3％以内.

关键词： 图形化蓝宝石基底 感应耦合等离子体 刻蚀工艺 表面形貌 测量方法

作者: 李燕 曹亮 李晖 Wonsik YOO 梁栋

作者单位: 中国电子科技集团公司第26研究所,重庆400060 韩国先进微波技术有限公司,首尔150834

会议类型: 国内会议

会议名称: 2013中国西部声学学术交流会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 197-200

在线出版日期: 2013-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）