超深亚微米IC设计中的天线效应分析

摘要：

本文主要分析了超深亚微米集成电路设计中天线效应产生机理及其消除方法,同时还给出了天线比率的具体计算方法.将这些方法应用于雷达信号处理SOC芯片后端设计中,解决了设计中存在的天线效应问题,保证了一次流片成功.

关键词： 半导体技术 超深亚微米集成电路 天线效应 优化设计

作者: 李蜀霞 刘辉华 赵建明 何春

作者单位: 电子科技大学电子电子科学技术研究院 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 电子科技大学电子科学技术研究院第三届学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 10-15

在线出版日期: 2007-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）