一种抵消曲率系数的高精度低温漂CMOS带隙基准的设计

摘要：

传统的带隙基准使用PTAT电压对三极管Vbe的温度系数进行线性补偿采得到与温度无关的基准电压,但由于忽略了Vbe的曲率系数γ的影响,其输出电压与温度仍存在相关性.本文使用与温度成幂函数关系的电流流过BE结进行曲率补偿,理论上可以完全抵消掉晶体管的曲率系数的影响,得到具有高精度,低温漂的基准电压源.在-40～125℃范围内,其温度系数低至1.06ppm/℃.由于其对工艺变化的不敏感,适合于工程化.该电路参数调整简单,具有很强的模块通用性.

关键词： 互补金属氧化物半导体集成电路 基准电压源 优化设计 曲率系数

作者: 李伊珂 廖永波 李平

作者单位: 电子科技大学VLSI设计中心,成都,61 0054

会议类型: 国内会议

会议名称: 电子科技大学电子科学技术研究院第三届学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 274-277

在线出版日期: 2007-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）