AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的研究进展

摘要：

随着军事应用对探测技术要求的不断提高,探测精度更高、误警率更低的双色或多色探测器成为当前的研究热点.本文阐述了可用于单一芯片上同时实现紫外红外探测集成的A1GaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的结构及其工作原理,同时介绍了当前A1GaN/GaN红外探测器的国内外研究现状.

关键词： 红外探测器 氮镓铝 氮化镓 多量子阱

作者: 陈圣昌 田武 李洋 吴志浩

作者单位: 华中科技大学光学与电子信息学院,武汉光电国家实验室,武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 237-240

在线出版日期: 2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）