InP基InAs量子点和GaInAsP浸润层竞争发光

摘要：

通过变温和变功率光致发光谱(PL)对InP(100)基InAs/GaInAsP量子点材料的光学性质进行了相关表征,确认了每个发光峰的来源并发现浸润层GaInAsP发光随着温度的变化表现出非常奇特的温度特性.为了找出相关原因,通过不同大小InAs量子点之间的实验数据对比、发现这种特性主要来源于浸润层和InAs量子点发光之间的竞争.

关键词： 激光器 磷化铟基砷化铟量子点 磷砷铟镓浸润层 发光特性

作者: 王玘 袁小文 罗向东

作者单位: 华中科技大学武汉光电国家实验室能源光电子功能实验室,武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 255-258

在线出版日期: 2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）