硅基纳米线的太赫兹发射研究

摘要：

采用水热法制备硅基纳米线,以TDS测试仪分析其在太赫兹频段内的发射增益性质,发现随着纳米线长度增加,其太赫兹发射强度逐渐增强.此性质对硅纳米光电器件在太赫兹领域和远红外领域的应用有着极其重要的意义.

关键词： 光电器件 硅基纳米线 太赫兹波 发射强度

作者: 马智超 徐智谋 邹超

作者单位: 华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 261-263

在线出版日期: 2013-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）