原位反应法制备常压烧结碳化硅-氮化硼陶瓷的研究

摘要：

通过引入BN的方法来提高SiC陶瓷的绝缘和介电性能.原位反应法能够制备显微结构均匀、BN粒径小的SiC-BN陶瓷材料,可以解决商用BN粉体纯度较低、粒径较大等不足.本文采用不同的原位反应合成工艺、烧结温度和BN含量,制备出高热导、高绝缘、低介电常数及损耗的SiC-BN陶瓷材料,其电阻率最高可达1010Ω·cm.

关键词： 陶瓷复合材料 碳化硅 氮化硼 原位反应法 常压烧结

作者: 李寅生 黄政仁 闫永杰

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海200050,中国;中国科学院大学,上海硅酸盐研究所,北京100039,中国 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海200050,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国工程陶瓷学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 100-100

在线出版日期: 2013-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）