CaCu3Ti4O12陶瓷的结构和缺陷不均匀性对介电性能的影响
本文采用传统固相法烧结制备了CaCu3Ti4O12陶瓷样品,采用双面打磨的方式减薄样品,观察了J-E特性和介电性能随试样厚度的变化.结果表明CaCu3Ti4O12陶瓷样品的击穿场强随着厚度减小而降低,但是没有像ZnO陶瓷一样出现突变点;打磨前后高频段的介电性能变化不大,而低频段的介电常数和介电损耗都有明显的上升.复阻抗分析表明随着厚度减小,晶粒的等效电阻率从40 Ω·cm上升到42Ω·cm,数值变化不大;而晶界等效电阻率变化明显,数值从79 MΩ.cm下降到14 MΩ·cm.结合显微形貌观察证明了CaCu3Ti4O12陶瓷本身的显微结构以及缺陷结构的分布不均匀性是导致其性能随厚度变化的原因,即表面由较小的晶粒、含氧量较高的晶界以及气孔构成;而内部结构较为致密,晶粒尺寸较大的、晶界氧化程度较低.
电工陶瓷材料 介电性能 结构表征 缺陷分析 金属氧化物
贾然 李建英 白璞 唐娴 赵学童 侯林林
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
国内会议
西安
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83-86
2013-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）