大直径石墨热场单晶生长工艺的研究
针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一系列预设工艺参数进行了验证,最终确定出了一套稳定的SOP工艺参数,适用于大直径石墨热场进行8英寸无位错单晶硅棒的生长.
单晶硅棒 生长工艺 参数优化 产品质量
苏金玉 昝武 陈洁 阮善斌 程小理
特变电工新疆新能源股份有限公司 830011新疆 乌鲁木齐
国内会议
三亚
中文
504-507
2013-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)