TFA-MOD方法制备Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ薄膜及性能研究

摘要：

采用三氟乙酸金属有机物沉积方法在不改变工艺条件下,在LaAlO3(001)衬底上制备了Y1-xHoxBa2Cu3O7-δ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)薄膜.其中,Yo.6Hoo.4Ba2Cu3O7-δ的临界电流密度Jc最高,77K自场下是YBa2Cu3O7-δ的1.6倍.磁通钉扎类型并没有随Ho的替代而改变,依然为δl钉扎类型,是由于Y3+和Ho3+的离子半径相近的缘故.这种在不改变工艺参数条件下的Ho替代不失为一种提高Jc的有效方法.

关键词： 氧化钇钡铜薄膜 三氟乙酸金属有机物沉积方法 显微结构 电学性能

作者: 菅洪彬 李琦 施东齐 张莉 杨昭荣 窦石学 朱雪斌 孙玉平

作者单位: 中科院固体物理研究所,材料重点实验室,中国合肥,230031 卧龙岗大学,超导与电子材料学院,澳大利亚,2522 安徽农业大学,数理学院 中国合肥,230022

会议类型: 国内会议

会议名称: 帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 115-122

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）