SLD应变量的X衍射测试及分析

摘要：

本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要求的SLD器件.

关键词： 超辐射发光二极管 金属有机化学 气相沉淀工艺 生长机理 X射线衍射

作者: 杨晓波 廖秀英

作者单位: 中国电子科技集团公司第44研究所,重庆,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 125-131

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）