低维半导体纳米材料的电子输运与器件
本报告以石墨烯、硫化钼两种材料为例，讨论低维半导体材料在纳米电子器件及新概念器件中的应用、存在的问题以及最新进展。本文用化学超声、展开碳管以及物理刻蚀等多种方法合成了20纳米以下石墨烯纳米带。基于这类石墨烯纳米带，在液氮温度下实现了高质量的量子点和量子线。上述两种化学方法的局限性在于无法实现器件的大面积集成，因此，利用自上而下的物理刻蚀方法，制造石墨烯纳米带阵列，实现了开关比大于104的单根纳米带器件以及开关比大于50的纳米带阵列器件，展现了石墨烯在纳米电子器件中的应用前景。与石墨烯不同，硫化钼是二维的半导体材料。理论预测在器件尺寸缩小的极限，硫化钼器件的性能将超越硅器件。目前硫化钼器件的瓶颈在于较低的载流子迁移率。本文发现硫化钼器件性能受到环境因素的影响，在空气中，氧气与水的物理/化学吸附会大幅度降低器件的电流密度与载流子迁移率，而通过简单的真空退火可以将硫化钼器件的电流提高50-100倍。报告还将简要讨论金属电极接触对硫化钼器件的影响。
电子器件 低维半导体纳米材料 电子输运 石墨烯 硫化钼
王欣然
南京大学电子科学与工程学院
国内会议
呼和浩特
中文
10-11
2012-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）