镁热法制备多级结构大孔SiC及其结构表征
(0) SiC具有很多优异的性质,如良好的热稳定性和化学稳定性,高热导率和机械强度等,在催化、高温微电子及光电子等领域有着重要的应用.特别对于纳米结构的SiC材料,由于其高比表面积及量子调控等一些独特的性质,使其具有更广阔的应用前景.传统制备SiC的方法通常需要很高的温度(1200℃以上),在该研究工作中,我们通过对SiO2欧泊/碳复合材料,在750℃的金属镁蒸气下进行反应,制备了多级结构的三维大孔SiC材料.首先通过单分散SiOi微球的自组装形成三维有序SiO2欧泊。XRD测试结果表明产物为3C-SiC。SEM照片清晰地展现出产物复制了SiO2欧泊的三维大孔结构。TEM测试表明产物的大孔孔壁是由粒径约10nm的SiC纳米粒子组装而成。氮气等温吸附-脱附曲线表明产物具有纳米孔道结构，并且产物具有高的比表面积(71.9m2/g )。以上表征分析结果表明，制备的样品为多级结构的三维大孔SiC材料。SiO2欧泊碳复合材料与镁蒸气的反应过程中，镁蒸气首先将SiO2还原成硅，然后在镁蒸气的作用下硅与碳在界面处发生反应，因此，最终得到的SiC能够复制SiO2的结构。本文所制备的这种特殊结构的SiC材料，有望在高温催化载体、光电子等领域得到应用。
大孔碳化硅材料 制备工艺 结构表征 镁热法
赵斌 郑明波 林子夏 马路遥 施毅
微结构国家实验室,南京大学电子科学与工程学院,南京,210093
国内会议
呼和浩特
中文
130-130
2012-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）