GaAs晶体微结构的高分辨X射线衍射研究
利用X射线的三轴晶高分辨衍射技术分析了GaAs晶片高温退火过程中晶体结晶完整性以及高温退火过程中石墨接触区域热应力对位错影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域热导不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,产生高密度的位错.同时,GaAs晶体中的位错通过弹性应力场的相互作用而驱使位错运动并排列起来,刃型位错向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界;GaAs晶体的品格参数和取向都有变化.
砷化钙晶体 微观结构 X射线衍射 位错运动
王超群 胡广勇
北京有色金属总院分析测试技术研究所,北京100088
国内会议
大连
中文
73-77
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）