SiC晶片表面加工对摇摆曲线的影响

摘要：

本文分析了高分辨X射线衍射的原理,计算了X射线在SiC材料中的穿透深度,通过对6H-SiC(0001)晶片不同加工后摇摆曲线及表面AFM的表征,研究了表面损伤层对摇摆曲线的影响,进而说明,如果要表征晶体的结晶质量,应在尽量祛除表面的损伤层的基础上进行.

关键词： 碳化硅晶片 加工工艺 表面损伤层 X射线衍射 摇摆曲线

作者: 张玮 张贺 胡伯清

作者单位: 北京天科合达蓝光半导体有限公司,北京100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 帕纳科中国第十届X射线分析仪器用户技术交流会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 82-86

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）