紫外探测器材料生长中的测试分析
AlxGa1-xN具有许多有潜力的应用,可用于导弹尾焰探测、火灾报警、卫星——地面安全通信等.近年来随着MOCVD技术的进步,制备的高铝组分ALGa1-xN材料接近器件级水平,使可见光盲和日盲型ilxGa1-xN紫外焦平面阵列(FPA)得到迅速发展.特别是随着材料中Al组分的变化,AlxGa(1-x)N的能带隙范围在4.3eV(x=0)到6.2 eV(x=1)之间变化,对应带边波长从365nm到200nmm.这样就需要运用X-Ray来确定Al组分和外延生长的质量.通过对紫外探测器材料各个生长层的测试分析，从而优化了各层的生长条件，生长了满足制作器件的完整结构外延片材料，并做出了64×64元AlxGa1-xN紫外FPA,其单元器件的短路电阻R0为3.1×1011Ω，R0A=2×109Ωcm2，在不计背景干扰的条件下，对应的D’为2×1012cmHZ1/2W-1。
半导体材料 紫外探测器 生长性能 晶体质量
杨晓波 王振 赵文伯 廖秀英
中国电子科技集团第四十四研究所 400060
国内会议
河北香河
中文
319-323
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）