基于SiC MOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究
新一代宽禁带SiC半导体开关器件以其在高压、高频、高温等方面的显著优势而得到越来越广泛的研究和认可,能否根据SiC开关器件特性设计出性能良好的驱动电路是SiC器件应用的关键.本文针对SiC MOSFET(CMF10120D),结合器件参数对其驱动电路进行了设计,并利用高速驱动芯片IXDI414搭建了SiC MOSFET的驱动实验电路,实验表明在MOSFET关断瞬间VDS存在较大的电压尖峰和震荡,因此,本文进一步对SiC MOSFET进行了缓冲电路设计,通过加入合适的RC缓冲电路,达到了良好的尖峰抑制效果.最后,针对工作在不同频率下的SiC MOSFET对本文设计的驱动电路及缓冲电路进行了实验验证,实验结果证明本文设计的驱动电路及缓冲电路能很好的实现SiC MOSFET的开关控制,这对SiC MOSFET的进一步推广应用奠定了基础.
碳化硅半导体开关器件 驱动电路 缓冲电路 结构设计 性能指标
刘永迪 边境 李虹 刘学超
北京交通大学电气工程学院,北京 100044 CREE香港有限公司
国内会议
杭州
中文
88-92
2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）