从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步

摘要：

对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析.通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步.极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极—发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅—源极阈值电压的离散性在缩小,栅—源极阈值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高.

关键词： 绝缘栅双极型晶体管 阻断性能 通用型模块 栅极阈值电压 源极阈值电压 抗电磁干扰能力 开关性能

作者: 陈永真 陈之勃

作者单位: 辽宁工业大学电子与信息工程学院,锦州 121001

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电源学会第二十届学术年会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 939-952

在线出版日期: 2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）