基于二阶忆阻器的忆容器模型及其滤波特性分析
本文将二次函数描述的磁控忆阻器模型通过二端口网络参数将其转变为忆容器模型,提出了该忆容器的电路实现方案,实验结果表明在输入正弦信号时该电路的特性曲线与忆容器的q-v曲线类似,是滞回曲线.在此基础上将忆容器应用于RC低通滤波电路,实验结果表明,该滤波电路对低频信号具有较好的通过性,对高频信号具有抑制作用,且由于忆容值是时变的,其通频带可在一定的范围内变化.
低通滤波电路 忆容器模型 电路结构 滤波特性 二阶忆阻器
朱志勇 陆益民
广西大学 电气工程学院,南宁,53000
国内会议
杭州
中文
1312-1316
2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）