多晶硅片晶界对电阻率测试值的影响

摘要：

本文分析了应用四探针法与涡流感应法测试硅多晶硅电阻率时,晶界对测试结果的影响.实验表明,应用四探针法测试晶界处电阻率时,测试结果对探针的相对位置极为敏感;而应用涡流法的电阻率测试结果在晶界处偏高,测试偏差受涡流频率的影响.此外,对硅片的退火处理可以显著降低晶界处电阻率的测试偏差;而酸制绒工序会增加晶界处电阻率测试偏差.通过引入晶界电容阻抗的电路模型,得出了晶界电阻、晶粒尺寸、涡流频率等因素与电阻率测试偏差的对应关系.实验与理论分析表明,高频率涡流感应法测试硅多晶晶界处的电阻率偏差较小,与体电阻率相符.

关键词： 多晶硅片晶界 电阻率测试值 四探针法 涡流感应法

作者: Hai Liu Tao Zhang Linyan Liu Sheng Cao Liang He Dongli Hu Yuepeng Wan

作者单位: LDK solar Co.,Ltd,Economic Development Zone,Xinyu,Jiangxi,338032,P.R.C

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 常熟

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）