湿法去除N型CZ硅硼扩散过程形成的富硼层

摘要：

硼扩散被应用于N型硅基的PN结制结工艺,然而硼扩散过程中会在硅片表面形成难以避免的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本文采用HF-HNO3体系化学腐蚀的方法来除去富硼层,去除富硼层后的硅片少子寿命从14.7μs增加到34.4μs,得到了很大的提高,方块电阻的均匀性也表现良好,虽然反射率有细微增加,但是依然认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中.

关键词： 晶体硅 制备工艺 富硼层 湿法化学腐蚀技术 产品质量

作者: 龙腾江 沈辉 沈磊

作者单位: 中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,广州510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 常熟

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）