金红石TiO2薄膜的生长及性能研究

摘要：

采用PLD方法分别在GaN和A1GaN/GaN基片上生长金红石Ti02(200)薄膜.XRD和AFM分析结果表明:当基底温度为600℃时,在GaN基片上生长的金红石Ti02(200)衍射峰表现明显和尖锐,薄膜表面形貌均匀平整,说明在该条件下制备出Tio2薄膜具有更好的结晶度.用TEM对薄膜界面特征进一步分析观测,TiO2薄膜晶格条纹清晰,薄膜与基底的界面清晰整齐.结果表明,在GaN基底上成功生长金红石型TiO2薄膜.

关键词： 金红石二氧化钛 薄膜生长 晶体结构 工艺参数

作者: 张丹明

作者单位: 湖北工业大学电气工程学院,湖北 武汉 430068

会议类型: 国内会议

会议名称: 湖北省机械工程学会机械设计与传动专委会暨武汉市机械设计与传动学会第21届学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 27-30

在线出版日期: 2013-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）