“高效”硅片以及电池的研究
本文实现了一种可控制晶粒大小的“高效”硅片技术.研究结果表明:三种不同平均晶粒大小的“小花”、“中花”和“大花”硅片的位错密度分别为3×104个/cm2、5×103个/cm2和6×103个/cm2,其中“中花”硅片位错密度最低;晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”的原始硅片和扩散后硅片少子寿命均高于其他两种;采用PC1D模拟了硅片(电池)少子寿命与效率的关系;制备的三种“高效”硅片效率平均可到17.3％～17.5％,其中“中花”制备的电池平均转换最高比其他两种平均高出0.2％.
硅片器件 制备工艺 理化性质 晶硅太阳电池
张东 卢川 张大雨 杨燕景 刘玉海 田娜 许颖 杜学国
巨力新能源股份有限公司,河北072550
国内会议
北京
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17-21
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）