不同类型硅片及其太阳电池的光衰规律研究
由于硅片内部含有杂质以及晶体缺陷,其制备的太阳电池存在着不同程度的光致性能衰减现象.本文用WT-2000测试仪分别对单晶多晶物理提纯硅的原片,去损减薄片,热氧化钝化片,用PECVD沉积双面SiNx:H膜钝化片,碘酒钝化片的少子寿命进行测量,用solar cells IV测试仪对由其制备的太阳电池的各种IV特性参数进行测试,记录这些参数随光照时间的变化情况,找寻这些参数随光照时间的变化规律,从而为寻找硅太阳电池光致衰减的其他根源以及找到抑制和克服光衰的措施提供依据.
太阳电池 硅片 光致性能 数值分析
曾湘安 艾斌 邓幼俊 沈辉
中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所
国内会议
北京
中文
123-132
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）