选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化

摘要：

利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池进行了器件模拟和参数优化的研究.为了使模拟结果更具可信度,首先对丝网印刷磷浆法制备的选择性发射极晶体硅太阳电池(SE电池)的典型I-V曲线进行了完美拟合.然后,以此SE电池的实验和拟合数据为基础,利用PC2D全面系统地研究了栅线、重掺杂区、轻掺杂区、电池表面钝化情况、晶体硅活性层电学质量等对SE电池光电性能的影响.通过模拟,发现背表面复合速率、基区少子寿命和重掺杂区与轻掺杂区的高低方阻配比是对电池效率影响幅度最大的三个因素.此外,模拟显示,经过优化SE电池的效率可达到20.45％.

关键词： 选择性发射极晶体硅太阳电池 光电性能 计算机模拟 结构优化

作者: 贾晓洁 艾斌 许欣翔 许欣翔 邓幼俊 沈辉

作者单位: 中山大学光电材料与技术国家重点实验室太阳能系统研究所,广州510006 南玻集团太阳能事业部研发中心,东莞523141

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 167-183

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）