纳米柱径向p-n结太阳电池的制备及电极改善研究
纳米柱阵列径向结太阳电池具有高效陷光及载流子径向输运的优势.本文不刻意追求高效前提下,通过实验的相对比较,报道了基于纳米柱阵列的径向p-n结太阳电池.与平面电池相比,纳米柱阵列具有较好的减反陷光特性,反射率平均能够降低到10％以下.径向结电池的短路电流密度的提高主要归功于良好陷光及载流子径向输运.经过光诱导镀,径向结电池的串联电阻从1.1 Ω下降到0.3 Ω,填充因子从48％提升到60％,最高效率达到约12％,超过了参考的常规电池效率(11.2％).
纳米柱阵列径向结太阳电池 制备工艺 电学特性 数值分析
窦丙飞 贾锐 李吴峰 陈晨 邢钊 金智 刘新宇
中国科学院微电子研究所,北京 100029
国内会议
北京
中文
193-195
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）