激光刻蚀对纳米线黑硅太阳能电池电极接触的改善
通过无电化学湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上成功制备了硅纳米线阵列形成黑硅.针对存在的纳米线与电极之间的接触不够致密,并且浆料不能填充纳米线之间的间隙,接触电阻较大等问题,用激光刻蚀的方法选择性的刻蚀掉电极下的纳米线阵列,有效的改善了电极的接触性能,降低了接触电阻,有利于电池效率的提高.
纳米线黑硅太阳能电池 激光刻蚀工艺 电极结构 欧姆接触
杨勇洲 贾锐 高斐 窦丙飞 金智 刘新宇
中国科学院微电子研究所,北京100029 陕西师范大学,西安710062
国内会议
北京
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205-208
2013-09-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)