Ar等离子体刻蚀绒面结构ZnO:B-TCO薄膜研究

摘要：

MOCVD生长的掺硼氧化锌(ZnO:B)透明导电薄膜,具有天然的“类金字塔”绒面结构,作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的“陷光”作用.本文采用Ar等离子体轰击薄膜表面,使其形貌得到改善,“类金字塔”形貌的尖峰在Ar等离子体的轰击下变得相对比较平滑,并证明了ZnO:B薄膜的表面特性与刻蚀条件密切相关.

关键词： 掺硼氧化锌薄膜 绒面结构 氩等离子体 刻蚀工艺 物理性能

作者: 赵慧旭 陈新亮 白立沙 陈泽 赵颖 张晓丹

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 274-277

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）