ITO薄膜性能优化及其在异质结电池上的应用
由于太阳能电池设计需选择最佳沉积参数和合理的工艺方式,因此ITO薄膜的光电性能需具有优异的匹配性和可靠的数值是必要的.因此采用直流磁控溅射方法,在玻璃基底上制备了优质ITO薄膜.研究了氧氩流量比,溅射功率和溅射压强三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.最终获得最佳电阻率为4.0*10-4 Ω cm,最佳光学透过率为89.1％的ITO.将优化后的ITO膜应用于μ c-Si/c-Si电池上获得了开路电压0.626V,填充因子0.5,短路电流36.4mA/cm2及转换效率11.47％的异质结电池.
氧化铟锡薄膜 直流磁控溅射工艺 光电特性 异质结太阳能电池
王九秀 谷锦华 王淑慧 冯亚阳 薛源
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 河南450052
国内会议
北京
中文
278-284
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）