不同气压下放电功率对微晶硅薄膜生长特性的影响

摘要：

本文采用理论模拟和实验相结合的方法,研究了不同气压下放电功率对VHF-PECVD沉积的微晶硅薄膜的生长特性的影响.低压时,SiH3为主要的沉积前驱基团,且沉积过程为气相扩散限制,基团浓度的增加有利于(111)面的生长和晶粒尺寸的增大;高压时,高硅基团的产生得到增强,使速率进一步增加.同时,沉积前驱基团浓度的大幅度升高使沉积向表面反应限制转变,等离子体中H原子浓度的增加有助于(110)面的生长.

关键词： 微晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积工艺 甚高频技术 放电功率 生长特性

作者: 陈永生 陈喜平 郝秀利 杨仕娥 卢景霄

作者单位: 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 285-290

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）