采用新型NP隧穿结提高非晶硅/纳米硅太阳电池特性
产业化大面积(典型为1245mm×635mm或者1400mm×11OOmm)硅基薄膜太阳电池,尤其是非晶硅/纳米硅双结太阳电池和非晶硅/非晶硅锗/纳米硅三结太阳电池,由于其自身特殊的优势在近几年来得到了广泛的研究和快速的发展.位于非晶硅顶电池和纳米硅底电池之间的NP复合隧穿结主要起着输运光生载流子的作用,来自顶电池的光生电子和来自底电池的光生空穴在NP结界面处进行复合.本文采用新型的NP隧穿结改善了非晶硅/非晶硅锗/纳米硅三结电池和非晶硅/纳米硅双结电池的电学输出特性,电池的填充因子得到了明显提升.新型NP隧穿结的N层采用Si和SiOx的多层结构,低折射系数(N值)的SiOx层同时起到了反射短波光的作用.通过优化多层结构中Si和SiOx层的厚度比例、SiOx层的N值、晶化率及其均匀性,在0.79m2的组件上取得了初始效率为10.75％的非晶硅/非晶硅锗/纳米硅三结电池和初始效率超过12％的非晶硅/纳米硅双结太阳电池.
硅太阳电池 镎隧穿结 电学特性 数值分析
郁操 张津岩 胡安红 曲铭浩 周星红 徐希翔
铂阳装备集团公司研发中心 汉能创昱科技有限公司
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291-298
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）