衬底温度对射频磁控溅射沉积IMO薄膜性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备掺钼的氧化铟(In203:Mo,IMO)薄膜.衬底温度升高,结晶程度变大.160℃制备的IMO薄膜的载流子浓度达最高值4.12×1020cm3,电阻率达最低值4.5×10-4Ωcm.衬底温度升高,IMO薄膜迁移率增大,最高达55.2cm2V-1s-1,功函数从4.96eV增大到5.17eV.因此,采用低温工艺能制备出较好光学和电学性能的IMO薄膜,同时可以改变衬底温度调节薄膜的功函数满足不同光电器件的需求.

关键词： 掺钼氧化铟薄膜 射频磁控溅射沉积工艺 温度效应 物理性能

作者: 王革 赵雷术 刁宏伟 陈静伟 闫保军 陈东坡 王文静

作者单位: 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究组,北京100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 299-305

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）