单结微晶硅锗电池的光电模拟研究

摘要：

本文采用ASA(advanced semiconductor analysis)软件,对单结PIN型微晶硅锗电池进行光电模拟研究,分析了P/I、N/I处缺陷分布以及本征层载流子迁移率这三个因素,对量子效率谱(QE)的影响,并结合反偏压量子效率谱进行了实验方面的验证.通过对这三个因素的实验优化,在锗含量约为35％的情况下获得了效率为4.63％的单结电池.

关键词： 单结微晶硅锗电池 光电性能 数值模拟

作者: 黄振华 张建军 倪牮 曹宇 王昊 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 312-317

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）