高效率非晶硅锗叠层薄膜太阳电池研发与生产
本文主要介绍了非晶硅及非晶硅锗合金薄膜太阳电池技术的最新进展.针对电池结构的各子层:p层、p/i缓冲层、i层、中间反射层、i/n缓冲层、以及n层进行工艺优化;同时通过对PECVD工艺参数,如RF功率、反应压力、占空比等进行调节;最后结合背电极及后期封装技术的改善,使得汉能量产的非晶硅锗三叠层电池的初始全面积效率接近11％.此外,结合PECVD设备的特点,本文还就非晶硅单结电池光照稳定性进行工艺优化,并使衰减得到有效改善.在各种工艺优化的同时也促使PECVD沉积时间缩短了40％以上,相应地降低了锗烷和硅烷等气体的使用量,提高了产线产能,有效地降低了生产成本.
非晶硅锗叠层薄膜太阳电池 等离子体化学气相沉积工艺 参数优化 产品质量
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2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）