硅片表面处理对异质结太阳电池的影响
本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了ITO/μc-Si:H(p)/c-Si(n)/Al异质结太阳电池,研究了氢等离子体处理时间和本征硅钝化对电池性能的影响.结果表明:(1)随着H等离子体处理时间的增加,电池开路电压和转换效率均呈现先增大后减小的趋势.各层优化后,在H处理时间为60s的条件下制备出了开压为0.598V,效率为9.599％的异质结太阳电池.(2)本征氢化非晶硅层可以进一步钝化晶体硅表面悬键,提高电池开压.在本征层厚度为5nm的条件下,制备出了开压为0.673V,效率为9.106％的异质结太阳能电池.
异质结太阳电池 等离子体增强化学气相沉积工艺 硅片结构 表面处理 产品质量
王淑慧 谷锦华 王九秀 冯亚阳 薛源
郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南450052
国内会议
北京
中文
338-343
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）