基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究

摘要：

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备高速率微晶硅太阳电池,分别采用MOCVD ZnO:B以及溅射后腐蚀Zn0:Al作为衬底,研究其对微晶硅太阳电池的陷光增强作用.通过对衬底表面形貌、光学特性以及μc-Si:H电池特性的分析表明,MOCVD ZnO:B表面小横向尺寸结构可有效增强微晶硅太阳电池的短波响应,而溅射后腐蚀ZnO:Al表面的大横向尺寸结构则可显著提升其长波响应.

关键词： 微晶硅薄膜太阳电池 等离子体增强化学气相沉积工艺 甚高频技术 陷光结构 物理性能

作者: 白立沙 刘伯飞 赵慧旭 张德坤 魏长春 孙建 赵颖 张晓丹

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第13届中国光伏大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 344-347

在线出版日期: 2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）