基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.通过优化溅射后腐蚀ZnO:Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,有效提升了非晶硅锗电池的长波响应.针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,有效改善了本征层空穴输运特性,电池填充因子显著提高.在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07％,而与之对应的a-Si:H/a-SiGe:H双叠电池效率则达到12.03％.
非晶硅锗薄膜太阳电池 光电结构 优化设计 光电性能
刘伯飞 张晓丹 白立沙 张德坤 魏长春 孙建 黄茜 陈新亮 王广才 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
国内会议
北京
中文
362-368
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）