激光刻划对NIP非晶硅太阳电池有源层的影响
采用不同功率532nm波长激光刻蚀柔性非晶硅薄膜太阳电池的P3刻线,并利用共焦显微拉曼光谱仪对其进行了分析.测得的拉曼光谱显示,非晶硅晶化率自P3刻线表面至非晶硅与背反射电极界面处依次递减.采用5.86×105～1.14×106w/cm2内数个不同激光功率密度刻蚀P3,非晶硅表面至底部的晶化率随刻蚀激光能量密度的增大均迅速变大;当激光功率大于7.32×105W/cm2时,非晶硅表面的晶化率小幅降低,而非晶硅底部小幅增长,总体保持在80％～95％的范围内.
非晶硅太阳电池 激光刻蚀工艺 有源层结构 拉曼光谱
焦小雨 陈亮 马宁华 陈臻纯 刘成
上海空间电源研究所 200245
国内会议
北京
中文
374-379
2013-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）